Mosfet Potenza Canale P
I 10 migliori prodotti di aprile 2025
Ultimo aggiornamento:
22 aprile 2025
ALLECIN
ALLECIN 10 Pezzi IRF9540 IRF9540N IRF9540NPBF Transistor MOSFET di Potenza a Canale P 100V 23A MOSFETS Transistors 100 Volt 23 Ampere TO-220
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#1 VINCITORE
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MOSFET DI POTENZA A CANALE P ALLECIN IRF9540 IRF9540N IRF9540NPBF - Componenti elettronici di uso comune.
Tensione nominale: 100V ; Corrente nominale: 23A ; Perdita di potenza: 140W.
Caratteristiche & Vantaggi: Materiale durevole & Tecnologia di processo avanzata & Basso consumo energetico & Basso rumore.
Ampia applicazione: I MOSFET DI POTENZA A CANALE P IRF9540 IRF9540N IRF9540NPBF sono ampiamente utilizzati in vari componenti elettronici.
Imballaggio umanizzato per una facile conservazione e utilizzo. # Marcature stampate per una facile identificazione.
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Innfeeltech
Innfeeltech 10 pezzi MOSFET transistor IRF4905 74A 55V effetto campo tubi P-canale To-220 di potenza MOSFET Feld effetto transistor raddrizzatore
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#2
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Il pacchetto include: 10 pezzi IRF4905 transistor MOSFET
Regolamenti: Corrente di scarico MAX 74A, Tensione MAX Vds 55V, Potenza Max 200W
Temperatura di esercizio: da -55 °C a +175 °C
Polarità del transistor: Transistor a canale P PMOS. Pacchetto incapsulato To-220AB
Applicazione: Si applica alle applicazioni di commutazione ad alta potenza e di amplificazione del segnale nei dispositivi elettronici.
9,49 € SU AMAZON
BOJACK
BOJACK IRF9540 MOSFET Transistor IRF9540N 23 A 100 V MOSFET di potenza a canale P TO-220AB (confezione da 10 pezzi)
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#3
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Tipo di transistor: MOSFET
Polarità del transistor: canale P
Corrente di drenaggio (Id Max): 23A
Voltaggio Vds Max: 100 V.
Potenza (max): 140 W.
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HUAREW
HUAREW 10 pezzi IRFZ44N transistor MOSFET di potenza raddrizzatore a canale N 49A 55V
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#4
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HUAREW IRFZ44N MOSFET Transistor
Confezione: 10 pezzi
Tipo: canale N
ID corrente di drenaggio: 49A
Tensione di drenaggio Vds: 55V
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CHANZON
Chanzon AO3401 SOT-23 Sic Mosfet P-Channel -4A Transistor SMD, 100 pezzi
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#5
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Panoramica: SOT23 MOS FET P Canale AO3401 P-Type, Corrente: -4 A
Marchio: Triodo bipolare originale della giunzione dei Mosfets dei transistor X15V
Per: Progetto elettronico fai da te
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jiyaohui
jiyaohui 10 x MOSFET di Potenza IRF9540 a Canale P 23A 100V TO-220 PolliceIR "
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#6
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Il MOSFET (transistor a effetto campo a semiconduttore ad ossido di metallo, pronunciato MAWS-feht) è un tipo speciale di transistor ad effetto campo (FET) che funziona variando elettronicamente la larghezza di un canale lungo il quale fluiscono i portatori di carica (elettroni o fori).
Più ampio è il canale, migliore è la guida del dispositivo. I portatori di carico entrano nel canale alla sorgente ed escono attraverso lo scarico.
La larghezza del canale è controllata tensione su un elettrodo chiamato griglia, che si trova fisicamente tra la sorgente e lo scarico ed è isolata dal canale da strato estremamente sottile di ossido metallico.
4,99 € (163,61 € / kg) SU AMAZON
Ronlok
Ronlok 10 x MOSFET di Potenza IRF9540 a Canale P 23A 100V TO-220 PolliceIR "
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#7
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Il MOSFET (transistor a effetto campo a semiconduttore ad ossido di metallo, pronunciato MAWS-feht) è un tipo speciale di transistor ad effetto campo (FET) che funziona variando elettronicamente la larghezza di un canale lungo il quale fluiscono i portatori di carica (elettroni o fori).
Più ampio è il canale, migliore è la guida del dispositivo. I portatori di carico entrano nel canale alla sorgente ed escono attraverso lo scarico.
La larghezza del canale è controllata tensione su un elettrodo chiamato griglia, che si trova fisicamente tra la sorgente e lo scarico ed è isolata dal canale da strato estremamente sottile di ossido metallico.
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Xtahdge
Xtahdge 10 X IRF9540 MOSFET Potenza Canale P 23A 100V TO-220 'IR'
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MOSFET (transistor ad effetto di campo a semiconduttore in ossido di metallo, pronunciato MAWS-feht) è un tipo speciale di transistor ad effetto di campo (FET) che funziona variando elettronicamente la larghezza di un canale lungo il quale fluiscono i vettori di carica (elettroni o fori).
Più ampio è il canale, meglio guiderà il dispositivo. I vettori di carico entrano nel canale nella sorgente e escono attraverso lo scarico.
La larghezza del canale è controllata tensione in un elettrodo chiamato gate, che si trova fisicamente tra la sorgente e lo scarico ed è isolato dal canale da estremamente ossido metallico.
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TEKLIGHT
TEKLIGHT IRFP3206 MOSFET Potenza canale N 60 V 120 A 280 W TO-247 100% NUOVO ed ORIGINALE
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TEKLIGHT by P.C. Electronics_tws:
IRFP3206 MOSFET Potenza canale N 60 V 120 A 280 W TO-247
100% NUOVO ed ORIGINALE
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PENGLIN
PENGLIN IRF4905 IRF4905P Transistor MOSFET IRF4905PBF - Transistor a canale P, 55 V, 74 A, TO-220, 3 pin
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#10
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Modello: IRF4905; corrente di scarico continuo Id: 74A; tensione di scarico Vds: 55 V; polarità transistor: canale P.
Materiale durevole : il transistor Mosfet IRF4905 è realizzato in materiale semiconduttore di ossido di metallo, che ha una buona stabilità termica e una lunga durata.
Tecnologia di processo avanzata: il transistor è un tipo di componente elettronico di precisione con elevata resistenza in ingresso, basso rumore, basso consumo energetico e ampia gamma dinamica.
Applicazione: il transistor a mosfet a canale P IRF4905 è un dispositivo semiconduttore di potenza comunemente usato nei circuiti elettronici, che può essere utilizzato come interruttore elettronico, raddrizzatore controllabile, ecc.
Multifunzione: raddrizzatore a canale P con molteplici funzioni come rilevamento, allineamento, amplificazione, commutazione, stabilizzazione della tensione e modulazione del segnale, ampiamente utilizzati in circuiti integrati grandi e molto grandi.
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